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大容量存儲的NOR FLASH的原理及應(yīng)用
時間:2021-11-25 10:22:07
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201706/346838.htm

VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH,可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,并同時給出了一個系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設(shè)計方案。

1引言

NOR FLASH 是很常見的一種存儲芯片,數(shù)據(jù)掉電不會丟失。NOR FLASH 支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH 片內(nèi)執(zhí)行。這點和NAND FLASH 不一樣。因此,在嵌入是系統(tǒng)中,NOR FLAS H 很適合作為啟動程序的存儲介質(zhì)。NOR FLAS H 的讀取和RAM很類似,但不可以直接進行寫操作。對NOR FLAS H 的寫操作需要遵循特定的命令序列,最終由芯片內(nèi)部的控制單元完成寫操作。所以,NOR FLASH一般是作為用于程序的存儲與運行的工具。

NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, Execute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在FLASH閃存內(nèi)運行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR FLASH的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

2NAND FLASH與NOR FLASH的性能比較

FLASH閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何FLASH器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行,所以大多數(shù)情況下,在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND FLASH器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR FLASH則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為0。

由于擦除NOR FLASH器件時是以64~128KB的塊進行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND FLASH器件是以8~32KB的塊進行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。

執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR FLASH和NADN FLASH之間的性能差距,統(tǒng)計表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時更多的擦除操作必須在基于NOR FLASH的單元中進行。

NAND FLASH的單元尺寸幾乎是NOR FLASH器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單,NAND FLASH結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價格。

NOR FLASH占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場的大部分,而NAND FLASH只是用在8~128MB的產(chǎn)品當中,這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中,NAND FLASH適合于數(shù)據(jù)存儲,NAND FLASH在Compact Flash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大

3VDRF256M16芯片

3.1芯片介紹

VDRF256M16是一款高集成度的靜態(tài)隨機存取存儲器,其總含有256M bits。由于此芯片里面包含4個片選,每個片選含有1個Block,具體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖1。這種結(jié)構(gòu)不但大大的擴充了存儲器的容量和數(shù)據(jù)位寬,而且還可以在應(yīng)用時大量節(jié)省了PCB板的使用空間。從圖1可以看出,每個片選控制了每一Block的寫保護信號#WP,另外芯片中的每一個Block的其他控制端口、地址線和數(shù)據(jù)線都是共用的。圖2為VDRF256M16中的任一Block的結(jié)構(gòu)框圖,它主要由控制邏輯、存儲整列等組成。下面為VD RF256M16的主要特性。

-總?cè)萘浚?56Mbit;

-數(shù)據(jù)寬度:16位;

-工作電壓3.3V +/- 0.3V;

-每個DIE(共4個DIE)含:-8個8KB的扇區(qū)、127個64KB的扇區(qū);

-扇區(qū)的硬件鎖防止被擦除、編程;

-存取時間最高達90ns;

-高擦除/編程速度:

-字編程8us(典型值);

-扇區(qū)擦除500ms(典型值);

-芯片擦除64s/DIE(典型值);

-解鎖旁路模式;

-擦除暫停/繼續(xù)模式;

-支持JEDEC通用FLASH接口協(xié)議(CFI);

-寫保護功能,允許不管扇區(qū)保護狀態(tài)對兩BOOT扇區(qū)進行寫保護;

-加速功能促進加快芯片編程時間;

-最小100000次的擦除、編程;

圖1 VDRF256M16芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)圖

圖2 VDRF256M16內(nèi)部Block的結(jié)構(gòu)框圖

3.2VDRF256M16的引腳說明

VDRF256M16芯片采用的是SOP封裝工藝,整塊芯片表面鍍金,這樣可以大幅度增強了芯片的抗干擾和抗輻射的能力,有利于該芯片能應(yīng)用于航空航天等惡劣的環(huán)境。

VDRF256M16芯片各引腳分布見下圖3所示,各引腳的功能說明如下:

VCC:+3.3V電源輸入端。濾波的旁路電容應(yīng)盡可能靠近電源引腳, 并直接連接到地;

VSS:接地引腳;

A[21..0]:地址同步輸入端;

#WE:此端為低時寫入,為高時寫無效,數(shù)據(jù)有效發(fā)生在相應(yīng)地址有效之后的兩個周期;

# OE:輸出使能, 數(shù)據(jù)讀取時需置為低,寫時置為低;

#WP/ACC[3..0]:最外的兩個8KB的BOOT扇區(qū)保護狀態(tài)。當電平為VIL時,此兩扇區(qū)受保護,不能進行擦除、編程操作;當電平為VIH時,取決于扇區(qū)保護狀態(tài),如此兩扇區(qū)是受保護的則不能進行操作,如未受保護則可進行擦除、編程操作;當電平為VHH時,將進入解鎖旁路模式進入加速編程狀態(tài)。此管腳不能懸空;

#CE[3..0]:低電平有效時選中該片,可通過兩個片選信號選擇四個Block,但兩個片選信號不能同時選中;

#BYTE:字節(jié)/字模式選擇。低電平為字節(jié)模式,DQ0~DQ7為數(shù)據(jù)端口,DQ8~DQ14為高阻狀態(tài),DQ15做LSB地址輸入;高電平為字模式,DQ0~DQ15為數(shù)據(jù)端口;

RY/#BY:準備/忙碌狀態(tài)輸出。低電平為忙碌狀態(tài);高電平為準備狀態(tài);

D[15..0]:數(shù)據(jù)輸入/輸出腳。

圖3 VDRF256M16引腳分布圖

3.3芯片操作

VDRF256M16的軟件操作可以分成兩類: 普通讀操作和命令操作。普通讀操作非常簡單, 與RAM的讀操作類似, 當#OE和#CE信號同時為低電平時, 即可從芯片讀出數(shù)據(jù)。芯片的命令操作包括芯片的識別、字節(jié)編程、扇區(qū)擦除以及整片擦除等。這些操作分別由各自的軟件操作命令序列來完成, 如表1所列。其中, BA為待編程字節(jié)的地址,Data為字節(jié)編程數(shù)據(jù), SAX為待擦除扇區(qū)的地址。命令中的地址只有低15位有效, 高4位可任意設(shè)置為/ 00或/ 10。VDRF256M16的軟件操作命令序列實際上是由一個或多個總線寫操作組成的。以VDRF256M16的扇區(qū)擦除為例, 其操作過程包括3個步驟: 第1步, 開啟擦除方式,用表1中給出的第1至第5周期的總線寫操作來實現(xiàn); 第2步, 裝載扇區(qū)擦除命令( 30H) 和待擦除扇區(qū)的地址, 用其對應(yīng)的第6周期的總線寫操作來實現(xiàn); 第3步, 進行內(nèi)部擦除。內(nèi)部擦除時間最長為500ms。

表1 軟件操作命令序列表

總線寫操作時,OE必須保持為高電平, CE和WE應(yīng)為低電平。地址和數(shù)據(jù)的鎖存由CE和WE兩個信號的邊沿進行控制。它們當中后出現(xiàn)的下降沿將鎖存地址, 先出現(xiàn)的上升沿將鎖存數(shù)據(jù)。

4VDRF256M16芯片的應(yīng)用

以VDRF256M16為核心,配合適當?shù)目刂菩盘?,不但可以對存儲器進行各種讀寫操作,而且還可以進行進一步的容量拓展。下面以該芯片在系統(tǒng)中的應(yīng)用為例,介紹VDRF256M16在系統(tǒng)中的的硬件設(shè)計及各信號之間的時序關(guān)系。

4.1系統(tǒng)的工作原理

硬件設(shè)計就是搭建合適的接口電路, 將VDRF256M16連接到微處理器的系統(tǒng)總線上。根據(jù)VDRF256M16和微處理器的結(jié)構(gòu)特性, 我們發(fā)現(xiàn)VDRF256M16的數(shù)據(jù)線、讀、寫等信號線可以很容易地連接到微處理器的系統(tǒng)總線上。

圖4 硬件電路原理圖

微處理器接到指令,需將數(shù)據(jù)或程序存放至NOR FLASH時,微處理器首先會發(fā)送擦除指令將芯片進行擦除,具體的流程見圖5。然后將數(shù)據(jù)或程序利用寫指令寫到FLASH中。當需要調(diào)取數(shù)據(jù)或程序指令的時候,需要從FLASH中調(diào)取程序,那就需要發(fā)送讀指令到FLASH中,具體的流程見圖6。

圖5 擦除指令流程圖

圖6 讀指令流程

4.2控制時序

由于該設(shè)計的數(shù)據(jù)速度快,容量大,因此時序的配合很重要,這種配合不僅僅指單個Block中各信號與時鐘的配合,同時也應(yīng)考慮Block與Block之間的各信號之間的配合。當數(shù)據(jù)輸入時地址和數(shù)據(jù)應(yīng)在保持穩(wěn)定;而數(shù)據(jù)輸出時,地址也應(yīng)保持穩(wěn)定,這樣才能保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃约斑B續(xù)性。圖5(讀時序)和圖6(寫時序)為單片Block的控制時序圖。從圖中可以看出:無論在讀或?qū)憯?shù)據(jù)時,地址總線信號和控制信號在發(fā)送一段時間后,數(shù)據(jù)信號才能發(fā)送或者讀取。所以在使用時,必須注意時序上的延時。

圖7 單片Block的寫時序圖

圖8 單片Block的讀時序圖

圖8 單片Block的擦除時序圖

5結(jié)束語

本文所介紹的VDRF256M16是一款高速度、存儲容量大的16位NOR FLASH存儲器,總?cè)萘窟_到了256M,存儲周期最大可達到90ns。16位的數(shù)據(jù)總線寬度能更好和更快速的采集和緩存數(shù)據(jù)。在實際的應(yīng)用中,可作為高速緩存。但在使用的過程中需要注意寫入和讀取數(shù)據(jù)的延時問題。另外,本芯片能在相當大的應(yīng)用范圍中使用,具有很好的通用性,在需要高速大容量數(shù)據(jù)存儲的場合的工程中比其他類型的存儲器更有應(yīng)用價值。

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