在半導(dǎo)體工藝進入10nm節(jié)點之后,能玩得起的公司主要就是臺積電、三星和Intel了,現(xiàn)在是臺積電最為領(lǐng)先,今年下半年就要小規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝了,有分析稱Intel會在2025年憑借18A工藝實現(xiàn)超越,不過臺積電也不會等著,現(xiàn)在已經(jīng)開始上馬1.4nm工藝了。
臺積電的芯片工藝也是準(zhǔn)備了多代的,目前3nm是即將準(zhǔn)備量產(chǎn),2nm工藝工廠還在建設(shè)中,技術(shù)研發(fā)的差不多了,預(yù)定2024年試產(chǎn),2025年才能量產(chǎn),大量2nm芯片上市恐怕要到2026年了。
按照摩爾定律的演進,2nm節(jié)點之后會是1.4nm(每次迭代是0.7x上代工藝),最新消息稱臺積電已經(jīng)決定上馬1.4nm工藝,團隊主要由之前研發(fā)3nm工藝的隊伍組成,下個月就會確認(rèn),進入第一階段TV0開發(fā),主要是確定1.4nm技術(shù)規(guī)格。
當(dāng)然,現(xiàn)在談?wù)?.4nm工藝量產(chǎn)就太早了,按照臺積電3nm到2nm的升級間隔來算,1.4nm就算研發(fā)順利,量產(chǎn)也是2027到2028年的事了。
究其原因就是1.4nm工藝已經(jīng)進入1nm范疇,這個工藝節(jié)點被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限了,大約等于10個原子的直徑,制造起來是非常困難的,從半導(dǎo)體設(shè)備到材料再到工藝路線都要全面升級,需要克服量子隧穿效應(yīng),否則芯片就要失效了。
關(guān)鍵詞: 工藝量產(chǎn) 技術(shù)研發(fā) 芯片上市 工藝路線
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