雖然目前來看,下一代芯片普遍依然采用5nm工藝打造,但是廠商卻一直在耗費巨資開發(fā)3nm工藝,其中臺積電就表示將要在明年量產3nm工藝。
不過,消息稱臺積電依然選擇FinFET晶體管技術,三星則選擇了GAA技術,并且還成功流片,距離實現量產更近了一步。
據韓媒Business Korea最新報道,三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術長Jeong Eun-seung在8月25日的一場網絡技術論壇中透露,三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前,宣布GAA技術商業(yè)化。
他直言:“我們開發(fā)中的GAA技術,領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術,我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”
據悉,GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管,通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。
根據三星的說法,與5nm制造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。
三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準,當時三星預計3nm GAA工藝會在2020年底試產,2021年量產,但現在顯然不能實現這個計劃了。
需要注意的是,有消息稱三星3nm GAA工藝如果拖到2024年量產,將會直接與臺積電2nm競爭,到時候鹿死誰手還猶未可知。
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