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三星中斷研發(fā),13nm級別的內(nèi)存被承認失敗
時間:2022-04-15 15:31:17

與邏輯工藝一樣,內(nèi)存芯片工藝在進入20nm節(jié)點之后也陷入了難以制造的境地,三星作為全球內(nèi)存一哥雖然走在了技術(shù)開發(fā)的前列,但是在新一代內(nèi)存研發(fā)上也面臨困難,最新消息稱13nm工藝的內(nèi)存已經(jīng)宣告失利。

簡單說下,內(nèi)存工藝在20nm節(jié)點之后就有不同斷代方法,之前用的是1x、1y、1z,后來又有了1a、1b、1c工藝,不過三星、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭的實際工藝也不完全是這樣,有時公布的還是數(shù)字+nm命名的,反正內(nèi)存工藝命名是有些混亂的。

總體來說,三星在DRAM工藝上是最先進的,2020年率先研發(fā)成功1z工藝內(nèi)存,大概是15nm級別的,2021年又宣告研發(fā)成功1a工藝內(nèi)存,也就是14nm工藝的,還首次使用了EUV光刻工藝。

再往下就是1b工藝了,大概是12-13nm級別,三星去年宣布成立專門的研發(fā)團隊攻克1b工藝內(nèi)存,然而最新消息稱三星已經(jīng)中斷了研發(fā),13nm級別的內(nèi)存被間接承認失敗。

關(guān)鍵詞: 中斷研發(fā) 全球內(nèi)存 技術(shù)開發(fā) 光刻工藝

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